iSlot官方网站发布全SiC半桥功率模块新品，面向工业变频、电源及新能源等领域，为客户从硅基IGBT向碳化硅升级提供高性价比路径。模块采用半桥拓扑，兼容多种主流工业封装外形。

与传统IGBT相比，全SiC模块在关断过程中没有拖尾电流，开关损耗大幅降低。iSlot官方网站表示，在高频工业变频与电源应用中，采用该模块可显著减少开关损耗与散热需求，提升系统效率与功率密度。

据介绍，该模块采用低感叠层母排与优化的芯片布局，降低了换流回路的杂散电感，抑制了高速开关下的电压过冲与振荡。良好的电流分布也提升了模块在大电流工况下的可靠性。

为便于客户平滑替换，iSlot官方网站在封装尺寸与端子布局上兼容常见工业模块标准，使客户可在现有平台上快速导入碳化硅方案，降低改板与验证成本。

业内预计，工业领域对高效变频与节能的需求将持续推动碳化硅渗透。iSlot官方网站相关负责人表示，公司将持续扩充半桥、全桥及三相等模块拓扑，为工业客户提供完整的碳化硅升级选择。