H3D04065E
SiC肖特基二极管 型号H3D04065E，反向电压V（rrm）=650V，平均正向电流I（f）=4.8A，TO-252-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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SiC肖特基二极管 型号H3D04065E，反向电压V（rrm）=650V，平均正向电流I（f）=4.8A，TO-252-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
应用领域
SiC肖特基二极管 型号H3D04065E，反向电压V（rrm）=650V，平均正向电流I（f）=4.8A，TO-252-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
